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会员 电气测量方法对IGBT开关损耗测试结果的影响分析
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  • 作者:
    朱晔  , 马柯  
  • 页数:
    6
  • 页码:
    1238 - 1243
  • 资源:
  • 文件大小:
    1.78M
摘要
随着电力电子系统在众多能源变换领域的广泛应用以及容量的快速提升,其可靠性也越来越受到业界普遍重视。功率半导体器件开关及导通特性的准确测试和热损耗提取,是后续开展电力电子系统可靠性研究的基础。由于功率半导体的开关速度快,易受寄生参数影响,也对测试设备提出了更高的要求。本文以典型功率半导体器件IGBT为研究对象,在开关特性电路测试平台上开展了一系列测试研究。测试中分析了电压电流测量方法对测试结果的影响,并深入考察了IGBT模块在各种温度下的开关特性。实验结果表明,测试方法会对损耗测试结果造成影响,选择合适的电气测量方案是准确提取功率半导体器件特性的重要保障。
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