新一代宽禁带SiC半导体开关器件以其在高压、高频、高温等方面的显著优势而得到越来越广泛的研究和认可，能否根据SiC开关器件特性设计出性能良好的驱动电路是SiC器件应用的关键。本文针对SiC MOSFET（CMF10120D），结合器件参数对其驱动电路进行了设计，并利用高速驱动芯片IXDI414搭建了SiC MOSFET的驱动实验电路，实验表明在MOSFET关断瞬间VDS存在较大的电压尖峰和震荡，因此，本文进一步对SiC MOSFET进行了缓冲电路设计，通过加入合适的RC缓冲电路，达到了良好的尖峰抑制效果。最后，针对工作在不同频率下的SiC MOSFET对本文设计的驱动电路及缓冲电路进行了实验验证，实验结果证明本文设计的驱动电路及缓冲电路能很好地实现SiC MOSFET的开关控制，这对SiC MOSFET的进一步推广应用奠定了基础。