基于 Cree 官网提供的 C2M 系列 SPICE 模型，本文对 SiC MOSFET 静动态特性进行了深入分析。分析结果表明该模型在工作结温较低时，与 datasheet 提供的静态特性曲线较吻合，但工作结温较高时对 SiC MOSFET 静态特性的模拟效果较差，于是在该模型基础上增加了一个温控电压源，以补偿工作结温上升带来的影响。之后，通过进行双脉冲测试，对比分析了该模型对 SiC MOSFET 动态特性的模拟效果。经过上述静、动特性的分析，发现该模型可较为准确地反映低结温时器件的真实工作特性，增加温控电压源后也适用于高结温工作状态。