传统绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）器件可靠性评估常采用功率循环与热测试法，其测试数据虽然有效，但并没有将加速实验结果和实际的使用寿命联系起来。提出一种通过Coffin-Manson-Arrhenius广延指数模型将二者联系的方法，首先理论分析绝缘栅双极型晶体管器件可靠性和其内部结温的关系，然后进行功率损耗计算、电热等效模型搭建，最后依据仿真数据建立Coffin-Manson-Arrhenius广延指数模型。仿真结果表明，该方法对绝缘栅双极型晶体管的可靠性分析有效。