SiC MOSFET 器件的栅极可靠性问题一直是限制其普及应用的重要因素。在能够表征栅极老化的众多特征参量中，输入电容 Ciss 近似不受温度和封装键合线老化影响，因而具有良好的应用前景。然而，栅极老化对 Ciss 变化的作用机理尚不完善。为此，本文详细探究了栅极老化对 SiC MOSFET 输入电容 Ciss 特性的影响。首先从机理上论述了栅极老化对 Ciss 特性的影响规律。其次，通过高温栅偏试验加速栅极老化，提取并分析了老化前后 Vds 为高压时的 Ciss–Vgs 特性曲线。分析及结果表明，栅极老化会引起 Ciss–Vgs 特性曲线的漂移，漂移方向取决于栅极老化后注入栅氧层的电荷种类，且漂移量随着老化程度逐渐变大。