MOSFET是目前应用范围较广的全控型开关器件，MOSFET的运行状态、使用寿命与器件的构造与特征、电性能参数、温度效应有很大关系，尤其是温度效应方面。首先分析了MOSFET结温与RDS(on)的关系，然后用二阶函数拟合法和BP神经网络解决温度敏感参数与结温之间的非线性关系，通过在Matlab建立BP神经网络模型，对预测模型进行了验证，通过对相对误差对比，证明BP神经网络模型对MOSFET的结温预测误差更小。