碳化硅SiC（silicon carbide）开关器件具有更快的开关速度与更高的工作频率，被广泛应用于DC/DC变流器。但是SiC器件的高工作频率会产生强烈的电磁辐射干扰，为了优化DC/DC变流器内部结构，实现更高的功率密度，提出一种SiC DC/DC变换器电磁辐射干扰的优化方法。文中首先分析了变流器的电磁辐射干扰源特性，根据DC/DC电路扑拓结构建立了空间电磁辐射模型，然后基于电磁辐射模型和模拟退火算法，对DC/DC变换器元件布局进行低电磁辐射优化，优化后的布局方案减少了60.2%的高频导线长度。最后，进行三维有限元仿真分析进行验证，所提出方法能优化SiC DC/DC变换电路布局，将敏感电路上产生的电场强度降低两个数量级。