Si/SiC混并联结构以更低的成本，提供了接近全SiC器件的性能，因此Si/SiC混并联结构逐渐成为新的研究热点。目前，Si/SiC混并联结构研究大多集中于如何减小损耗。然而，在Si/SiC混并联结构损耗优化过程中，作为辅助器件的小电流SiC MOSFET可能出现温度过高甚至超过最高结温限制的问题。为此，提出了一种适用于Si/SiC混并联结构的主动温度控制方法，以减小混并联结构由于内部两器件结温差异大带来的器件过温风险，提升器件运行的可靠性。