高频变压器在电路中承担电气隔离、能量传输以及电压转换等重要作用。然而随着半导体开关器件工作频率的提高，高频变压器产生的电磁干扰现象变得越来越严重，其重要原因是，在高频下原副边之间分布电容对电路的影响无法忽略。目前围绕高频变压器电磁干扰这一问题，已有不少学者提出了一系列的解决方法。但针对高频变压器绕组结构如何优化、采用什么样的绕组结构能够减小共模噪声的具体研究却少见报道。本文首先构建了高频变压器等效电路模型，然后研究了原副边绕组间分布电容的计算公式，最后以某多绕组变压器为研究对象，通过等效电路模型仿真和实验验证了等效电路模型的有效性，并基于有限元仿真研究了不同绕组结构下分布电容的大小，为优化高频变压器设计、减小共模噪声提供了新的思路。