无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器件的无铅化关键互连技术，对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义。针对典型Si基功率模块封装连接工艺及其可靠性，阐述了当前无压低温纳米银烧结封装技术的进展与思考：（1）讨论了电力电子器件封装连接可靠性的典型风险和原因；（2）介绍了无压低温连接技术的最新发展；（3）基于Si基典型功率模块封装向高可靠SiC功率模块转变过程中在封装结构和材料方面的需求，阐述了无压低温银烧结技术在引线型、平面型和双面冷却功率模块封装方面的进展；（4）提出无压低温银烧结技术当前有待解决的技术难题。