氮化镓（GaN）器件相比于传统的硅（Si）器件在大功率、高频、高压领域是一种很有前途的电力电子器件。然而其特有动态导通电阻现象限制了GaN器件在电源系统中的应用。尽管对于GaN器件的动态导通电阻稳定性的行为研究较多，但往往聚焦于特定的表征电路中，将器件孤立于系统应用之外，缺乏器件的稳定性对系统的影响。本文以结构简单、功率密度高的有源钳位反激变换器（ACF）拓扑为载体，将P型肖特基栅氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT（Gallium nitride high electron mobility transistor）作为主功率器件，实现了90V–264V宽交流输入电压，峰值效率达到90.1%。输出功率达到100W的电源样机。基于该样机，实时监测了GaN主功率管在不同的工况条件下的动态导通电阻行为对电源系统的影响。实验结果表明在ACF电源系统中软开关控制策略在重载条件下能够有效地抑制GaN器件的动态导通电阻，器件的硬开启对动态导通电阻有较大的影响，器件的硬关断对动态导通电阻影响较小。从电源损耗结果表明GaN器件在实际工况下受到电压应力影响后，导通电阻引起的总功耗增加了0.469%，电源效率整体下降0.176%，不足以影响应用拓扑的效率，证明GaN器件的动态电阻稳定性在ACF变换器短期工作中处于可控状态。