本文主要研究SiC MOSFET模块在短路情况下的均流特性。从模块的失效机理入手，分析了模块的短路行为。提出了一种LTspice-ANSYS Workbench联合仿真方法，该方法将模块结构模型、LTspice电路仿真和有限元仿真结合起来，实现了对电热耦合效应和芯片间存在的不均衡的电热应力的预测。使用该方法对一款商业模块进行了实际建模仿真，成功预测了模块内不均衡的电热应力分布，分析了芯片间电流分布不均的内在原因，从仿真的角度揭示了SiC MOSFET芯片短路失效现象的原因。