提出了一种1200V电压领域的新型RC-IGBT结构。通过刻蚀及离子注入在器件背面形成氧化槽与p柱区的结构。氧化槽隔离n型集电极与p型集电极，并切断了缓冲层低电子电阻通道。结合p型柱形成的电子势垒增大了集电极区域的短路电阻，从而完全消除传统RC-IGBT正向导通时电压回跳效应。p型柱的参数对消除导通压降回跳现象至关重要。详细讨论了p型柱的高度、宽度和浓度对器件电学特性的影响。仿真结果表明，所提出的新结构能消除电压回跳现象，能进一步有效折中IGBT器件正向压降与关断时间的矛盾关系。