SiC器件的开关速度比Si器件高10倍以上，因此可以将逆变器的性能提升到一个新的水平。而高开关频率和dv/dt、di/dt使电磁干扰（EMI）恶化。许多学者对共模EMI抑制方法进行了研究，但是很多抑制方法极大地依赖于逆变器内电感的值，这限制了SiC器件在提高功率密度上的发挥空间。同时，很多研究只单独关注流过线性阻抗网络（LISN）上的电流是否达标，而忽略了抑制方法可能带来的额外损耗问题。为了进一步发挥SiC器件的性能，本文针对几种常用的抑制方法在抑制效果、对滤波电感的敏感度和额外损耗三方面进行比较，选择出最优的抑制方法。本文首先介绍了四种常用的抑制方法；然后对比这四种抑制方法的抑制效果和对滤波电感的依赖程度；接着比较了这四种抑制方法带来的额外损耗的情况，综合考虑找出最优的抑制方法；最后，对本文的分析进行了仿真验证。