SiC MOSFET可以实现ns级别的高速开关，有效提升了电力电子装置的整机效率及功率密度。然而，短时间尺度的电压、电流切换所带来的高摆率、超调、振荡等一系列问题，不仅危害了器件的安全工作，同时恶化了系统的电磁兼容特性。本文首先将SiC MOSFET的开关暂态统一划分为延时、边沿变化、超调以及衰减振荡四个部分，并建立起各阶段与安全工作区、损耗以及电磁干扰之间的关系；其次研究了不同负载电流条件下，栅极驱动电阻对于SiC MOSFET开关轨迹的影响，给出了四个阶段特征的趋势图；最后提出栅极电阻取值的合理建议，为SiC MOSFET的进一步推广提供了有益的帮助。