在电机驱动系统中，由于功率器件较高的 dv/dt、di/dt，产生了不可忽略的振荡，传统的传导电磁干扰电路模型不再适用。本文提出一种基于 ANSYS Simplorer 的 SiC MOSFET 行为模型，对其动态特性和静态特性进行综合分析，将仿真结果与数据手册进行比较和验证，结果表明该行为模型可以准确地描述 SiC MOSFET 的电磁干扰特性。