栅极氧化物退化一直是碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor，SiC MOSFET）可靠性的主要问题之一，因此对SiC MOSFET栅氧化层状态在线监测极其重要。当通过某些温敏参数监测栅氧化层退化时，易受到器件结温的影响，导致结果不准确。本文提出了一种基于负栅源极电压下输入电容的栅氧化物退化在线监测方法，该方法消除了温度的影响。在此基础上，提出了一种新的在线监测电路来监测栅极氧化物退化，并将其集成到栅极驱动模块。最后通过仿真，验证了所提方法的有效性。