为提升现代单极型功率二极管的性能，进一步突破“硅极限”，通过加大传统JBS二极管中P+区结深，引入超级结结构以减薄芯片厚度，缓解传统单极型器件通态压降与反向阻断电压之间的矛盾，提高单位面积器件的导通电流密度。使用数值方法分析了超级结JBS二极管中P柱区浓度、N柱区宽度和N柱区浓度对正向导通特性以及反向阻断特性的影响，应用电场耦合效应理论分析了超级结JBS二极管的正向导通和反向阻断机理，设计了一款300 V的超级结JBS二极管。