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会员 基于DLDD线圈具有高抗偏移性能的IPT系统
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摘要
针对电动汽车无线充电时线圈偏移造成系统耦合系数和能效性急剧下降的问题,设计了一个抗偏移性能优异的双层DD线圈磁耦合机构,采用双LCC/S补偿拓扑控制两层DD线圈中流过的电流幅值相等、相位相差90°,使得发射线圈在XOY水平面激发旋转磁场,因此提升了系统在XOY水平面和垂向偏转的抗偏移性能;借助有限元分析软件优化了线圈位置和磁芯尺寸。最后依据仿真搭建了实验样机,沿X方向偏移100 mm、沿Y方向偏移100 mm和沿垂向偏转15°时,传输功率为520 W,效率达82.5%;在各种偏移情况实验测得的等效耦合系数与仿真结果的最大相对误差为9.88%,最小相对误差为0.143%,平均相对误差为3.736%。
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