绝缘栅双极型晶体管IGBT（insulated gate bipolar transistor）的不断发展也推动着驱动技术的发展。为了减小高功率密度IGBT开通损耗以及优化电流变化率di/dt，提升系统的功率密度和能量转换效率，使用一种具有转换速率控制功能的驱动芯片设计电流源型驱动。通过双脉冲实验平台进行测试，将结果与传统的电压源型驱动测试的结果进行对比、分析，从而验证该电流源型驱动在减小开通损耗和优化电流变化率di/dt方面的优势，为驱动电路的研究与设计提供参考。