GaN材料优异的高频特性仍未得到发挥，电容特性与动态损耗问题需要得到解决。本文对GaN功率器件电容特性进行了细化分析，通过对电容的解析，将与器件测试与损耗分析、封装和芯片底层结构材料层级下各自的定义，并以栅极场板长度为变量，揭示GaN功率器件结构参数对电容特性的影响机理，并针对具体电路拓扑应用下的器件损耗，给出GaN功率器件结构设计建议：软开关应用下，应尽可能降低栅极场板长度；而对于硬开关应用，栅极场板有利于降低器件损耗。