本文针对GaN HEMT的高频开关特性及上管电气隔离等问题，提出并设计了一种应用于LLC谐振变换器的隔离变压器驱动电路。详细分析了GaN HEMT的开关特性并阐述了其驱动设计要求。根据这些要求，提出了GaN HEMT隔离变压器驱动电路的基本设计过程。最后，通过PSpice仿真及制作LLC谐振变换器实验样机，验证了该驱动设计的可行性及可靠性。