第三代功率半导体碳化硅SiC（silicon carbide）具有高耐压等级、开关速度快以及耐高温的特点，能显著提高电动汽车驱动系统的效率、功率密度和可靠性。首先，设计了两电平三相逆变器主电路和带有保护功能的隔离型驱动电路 ，使用LTSpice仿真分析了门极电阻对驱动性能的影响 ；其次 ，建立了逆变器的功率损耗与热阻模型，使用Icepak对散热器进行了散热分析 ；再次 ，讨论了PCB板寄生参数对主电路和驱动电路的影响 ，并提出了减少寄生参数的措施；最后，采用CREE公司的1 200 V/40 mΩ SiC MOSFET制作了1台7.5 kW的实验样机，并给出了测试结果。