绝缘栅双极型晶体管IGBT作为盐碱地和盐湖光伏发电系统，以及海上风电系统等的变流器主要易损元件[1]，其封装严密性容易受到高盐雾环境的腐蚀而快速失效。盐雾从器件封装失效位置渗入后，引起器件栅极性能显著变化，严重影响变流器可靠性[2]。研究高盐雾环境对IGBT器件阈值电压的影响，有助于深入认识盐雾环境下器件的可靠性，对高盐雾环境中IGBT器件的状态评估和封装结构优化设计具有重要意义。 现有研究多聚焦于正常运行条件中器件栅极电压的评估分析，而对高湿度高盐雾环境下栅极性能的研究鲜有报道。在正常运行条件方面，主要基于栅极-发射极电压对器件进行结温评估[3-5]和过流检测[6]，以及器件关闭时因位移电流引起栅极电压畸变而使其误导通的故障分析[7]等。在高湿度环境下，主要聚焦于高湿度环境中器件的阻断性能老化。高湿度环境中大量水分子可通过硅胶或沿着电气端子进入器件内部，与裸露芯片钝化层发生化学反应，恶化器件欧姆接触[8]，甚至生成铜和银枝晶腐蚀产物，致使IGBT器件阻断性能彻底失效[9-10]。但这些研究聚焦于高湿度环境中器件阻断性能失效原因，并未直接报道阈值电压的变化情况。功率模块内部的灌封硅凝胶无法完全阻挡水分子和盐雾离子，盐雾渗入封装内部后可直接影响器件的阈值电压。而目前对于功率器件在高盐雾环境下的研究主要聚焦于密封外观的腐蚀状态[11]和腐蚀产物[12]，并未涉及高盐雾环境下IGBT器件阈值电压的变化。但仅从盐雾对器件的封装外观腐蚀状态无法准确评估IGBT器件的工作状态。因此有必要深入研究高盐雾环境对IGBT器件阈值电压的影响。 本文对半桥IGBT模块开展高盐雾实验，研究高盐雾环境对器件阈值电压的影响，分析内部封装的劣化状态与阈值电压变化之间的关联关系，讨论器件阈值电压的变化原因。