本文以GaN高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）为研究对象，分析了其工作原理和开关特性，并对其进行了损耗分析和开关特性的仿真。通过LT Spice仿真软件，分析了影响GaN HEMT开关速度的各个因素，以便对GaN HEMT在开关过程中的波形尖峰和振荡进行优化和抑制。基于GaN HEMT的高频特点，将其应用到智能机器人的DC/DC电源模块中，设计制作了一台170W机器人电源实验样机。对样机的性能进行测试和波形分析，实测效率达到95.476%，对比采用相同电压等级的Si MOSFET制作的电源样机，效率提高了近2%。