本文提出并制备了一种具有Schottky/p-GaN混合漏极结构的逆阻型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HPS-HEMT）。通过在器件漏极处设置p-GaN帽层和肖特基接触形成势垒，阻断器件反向电流，实现器件的反向阻断能力。所制备的HPS-HEMT实现了1081 V正向击穿电压（BVF）和-1012 V反向击穿电压（BVR）。器件的开启电压（VON）为2.1 V，在漏极电压为-600 V时，器件反向漏电流为4×10⁻² μA/mm。经实验测试验证，所提出的Schottky/p-GaN混合漏极结构优化了器件反向击穿电压和VON之间、VON与反向泄漏电流（ILEAK）之间的折衷关系。