提出一种SiC/Si混合五电平逆变器拓扑及其优化调制策略，所提拓扑由2个SiC MOSFET和6个Si IGBT组成，结合直流侧分裂电容构成五电平结构；所提调制策略中所有高频开关损耗由SiC MOSFET承担，6个Si IGBT只承担通态损耗及体二极管损耗。建立了损耗分析模型，通过理论计算，对比了全SiC、全Si、以及所提SiC/Si混合方案的损耗分布、效率和经济成本。分析结果表明，所提SiC/Si混合方案的效率与全SiC方案接近，但成本降低约48%。最后，搭建了2kW SiC/Si混合五电平逆变器仿真模型，验证所提混合拓扑及调制策略的可行性。