本文以CREE公司的CAS300M12BM2为实验对象，对SiC MOSFET的驱动电路进行了研究，重点分析了SiC MOSFET桥臂串扰原理，提出了串扰抑制方法。在设计防串扰驱动电路的过程中，考虑到驱动回路外接电阻与SiC MOSFET开关损耗、开关速度、驱动回路可能的谐振情况的关系，给出了SiC MOSFET驱动回路外接电阻的计算方法及取值范围，计算得出了驱动电流的要求，并在满足要求的前提下选择了驱动芯片，完成了驱动电路的总体设计。本文设计的驱动电路，在保证SiC MOSFET高开关速度、低损耗的前提下，有效地避免了桥臂串扰问题，并实验验证所提出计算方法的可行性。