氮化镓（GaN）器件以其优越的电学特性在大功率、高频、高压领域有着广泛的应用前景，但由于GaN器件的动态特性存在稳定性问题，制约器件的推广使用。本文从p型肖特基栅氮化镓HEMT的动态特性出发，表征研究了不同开关条件对GaN器件动态导通电阻和阈值电压的影响，并基于100W的有源箝位反激（ACF）电源，分析了GaN器件的动态特性稳定性对电源性能的影响，在实际应用条件下的动态特性表征结果显示GaN器件的导通电阻和阈值电压受到外部电路的电压应力影响后，所产生的额外功耗很小，尚未明显影响应用拓扑的效率，证明GaN器件的动态特性稳定性在该应用场景下处于可控状态。