相比传统的硅Si( silicon)器件，氮化镓GaN( gallium nitride)器件具有更低的寄生参数、更快的开关速度和更小的导通电阻，但也导致器件在开通过程中更容易发生持续振荡现象，带来电路的不稳定问题。为了抑制这种现象，建立常规驱动方式下桥式电路的负电导模型，分析电路的振荡稳定性，建立在常规驱动方式基础上增加优化方式的负电导模型，分别选择以改变关断电阻、增加磁珠为代表的串联阻尼和以RC( resistor-capacitance)阻尼器为代表的并联低阻抗的优化方式。通过此模型可以判断出驱动优化方式的加入对电路振荡稳定性产生的影响，并通过实验结果验证了加入优化方式前、后电路的振荡稳定性变化，为驱动回路选择合适的驱动优化方式提供了参考。