碳化硅MOSFET因其材料特性被广泛应用于新能源汽车的高压、高频和高功率密度场合。在考虑双面水冷散热过程，往往忽略芯片布局间距对于散热以及芯片温度均匀性的影响，未考虑芯片温度均匀性对于多芯片并联电流均匀性的影响。针对上述问题，设计一种双面水冷的封装结构，分析不同芯片布局间距对芯片温度均匀性的影响，分析不同结温及不同芯片布局对寄生参数及开关特性的影响，并针对不同芯片布局间距和不同液冷工况，采用大量仿真及响应面对比分析，验证了所提方法的有效性，为SiC功率模块封装对芯片温度均匀性及开关特性的影响提供技术方法指导和定量分析。