本文分析了SiC MOSFET对三相光伏逆变器功率密度提升的影响。基于损耗模型，比较了不同开关频率下SiC MOSFET两电平逆变器、Si IGBT两电平逆变器以及Si IGBT T型三电平逆变器的转换效率，并建造了实验平台，通过实际测量比较了三种逆变器的效率。研究表明采用SiC MOSFET可以显著提高三相光伏逆变器的功率密度。