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会员 基于 Si IGBT/SiC MOSFET 的混频变流系统分析
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摘要
大容量电力电子装置开关频率极低,虽然低开关频率能够有效减小变流器损耗,但将导致系统谐波含量增加、降低控制精度,影响变流器输出电能质量。低压大容量变流器“高效”和“高质”之间的矛盾突出。为解决上述矛盾,对基于 Si/SiC 的大容量混频并联系统开展研究,对其基本拓扑与工作原理进行说明,并通过仿真验证混频并联系统实现高质高量变流的有效性。
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