SiC器件作为宽禁带半导体器件代表，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、高电压、高频率和高抗辐照等优越的物理和电气特性，在卫星电源系统中具有巨大的应用潜力。介绍了卫星电源系统发展的现状与趋势，论述了当前国际宇航研究机构对SiC功率器件在卫星电推进系统中应用的研究，并提出SiC器件在卫星中应用的单粒子需求趋势。分析认为SiC功率器件今后的研究重点在于单粒子失效机理的研究、辐照加固工艺完善以及器件改进。