为进一步提高级联H桥型（CHB）逆变器的波形质量和效率，Si/SiC单元混合的CHB逆变器逐渐成为研究热点。针对这种拓扑，本文介绍了一种高低频结合的混合调制策略。通过在MATLAB/Simulink平台内的一台300kW、10kV混合CHB逆变器中使用此调制策略，验证了其可行性和有效性。并分析了在该调制策略下，不同SiC单元电压等级和占比对逆变器的谐波性能和半导体器件损耗的影响。