长期以来，有机驱动管理电路的缺失使得有机集成电路缺乏充分的灵活性。最近的研究揭示了基于共聚物有机半导体的有机场效应晶体管（OFET）的高关态击穿性能及其类雪崩击穿机制。通过采用基于二酮吡咯的共轭共聚物（DPPT-TT）作为半导体层和聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作为电介质/钝化层，可以在同一康宁玻璃衬底上集成四个OFET制作H桥电路。非破坏性的类雪崩击穿机制为功率OFET提供了高达300 V的击穿电压，其临界电场超过了5 MV/cm。所制造的器件还展示了超过121 A/cm²的高电流密度。顶栅底接触结构的OFET具有低的漏电流和良好的器件稳定性，无需使用封装结构或其他特殊隔离技术也可稳定工作。通过使用63 μm沟道器件制成的H桥电路，在其负载端连接电阻和LED，测量结果表明，它具有良好的驱动效果和驱动性能。这些结果表明，有机功率器件是功率领域应用的一个潜在候选者。