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会员 基于氮化镓高压直流母线单相逆变器设计
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  • 作者:
    肖蕙蕙  , 李茂丽  , 刘述喜  
  • 页数:
    6
  • 页码:
    1226 - 1231
  • 资源:
  • 文件大小:
    1.55M
摘要
本文研制了一种高效率、高功率密度逆变器。开关器件采用新型半导体材料氮化镓,基本拓扑结构为单相全桥结构。TMS320F28x作为核心控制器,采用电压前馈以及电压电流双闭环系统控制方案。开关器件驱动采用了SI8261隔离式门驱动器,驱动电路前级设有反激式变换器将400V高压直流母线降压到12V为其供电。设计出一台500W的原理样机,在开关频率100kHz、输入400V高压直流条件下,输出220V交流电压。该装置体积小,变换效率达到96%,输入电流纹波小于20%,输出电压总谐波THD小于5%。
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