碳化硅SiC（silicon carbide）功率器件的耐压、频率和损耗等特性均优于硅（Si）器件，然而SiC器件抗冲击能力差、电磁干扰大，且SiC器件对整个功率变换系统的贡献尚缺乏分析验证，因此，采用全SiC器件研制高性能的大功率直流电源具有一定挑战。首先针对SiC器件抗冲击能力差的问题，引入嵌入式保护策略，应对直流电源外部冲击扰动和短路故障。其次，针对电磁干扰大的问题，设计了电磁干扰滤波器抑制传导干扰。最后，比较全SiC电源和传统全Si电源，以实验研究的方式验证功率器件使用SiC器件的技术优势。对全SiC大功率直流电源的关键技术进行全面研究和实验验证，为SiC半导体器件在大功率电能变换中的应用提供了有益参考，并为其优异性能提供坚实依据。