本文将GaN HEMT应用于串联电容降压变换器，将开关频率提高到1MHz，大大提高了变换器的功率密度。分析了新型宽禁带半导体器件带来的优势，对驱动电路进行了优化，设计建造了1MHz改进型两相Buck高频转换器，输入48V，输出12V/240W，峰值效率98.5%。有效功率密度达到218.5 W/in³。在额定状态下，样机的效率为93.4%。