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会员 功率芯片的浪涌能力建模与实验验证
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  • 2024/01/01
摘要
功率芯片在浪涌工况下会由于严重的自热效应而出现热失效。对于具有引线键合的功率芯片而言,浪涌失效点往往出现在键合线落脚处附近并呈现局部熔化的现象,因此功率芯片的浪涌能力会受到键合线布局的制约。该文基于高压大功率硅基快恢复二极管,考虑芯片特性以及三维封装结构,建立了适用于浪涌工况的芯片电热耦合有限元模型,分析了芯片在浪涌工况下的电热耦合关系,并提出了芯片浪涌能力的界定方法,通过仿真结果以及实验验证了模型的有效性。基于仿真模型,探究了不同的芯片键合线排布方式对芯片浪涌能力的影响规律,为功率芯片的封装键合线布局提供指导与参考。
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