与传统硅基器件相比，氮化镓GaN（gallium nitride）功率器件具有更快的开关速度，更小的开关损耗并且无反向恢复损耗，这使得氮化镓器件在高频和高功率密度应用场合具有突出优势。高频工况下高精度测试方法是目前研究的热点，其中双脉冲测试DPT（double pulse test）电路是器件动态性能测量的常用方法。然而，该方法必须采用漏极电流探头进行采样，而同轴分流器电流探头极大地增加了回路寄生电感，这与氮化镓实际工况差距非常大，将影响开关特性和损耗测试的准确性。提出了一种适用于桥式氮化镓电路的新颖测试方法，该方法无需采用无感电阻即可测量氮化镓器件的开关损耗。搭建了基于氮化镓的降压变换器进行实验，验证了该方法的有效性。