本文从二端类晶闸管器件的导通机理、结构优化、触发电路设计以及应用进行了总结。首先采用不同触发方式对二端类晶闸管器件进行触发，研究了触发方式对再生效应的影响方式，揭示了二端类晶闸管器件触发方式与动态特性的耦合机理。其次，分析了P基区掺杂浓度以及阴极版图等不同结构参数对二端类晶闸管输出能力的影响，并探索了触发参数对二端类晶闸管器件电流丝的抑制效应，为高效触发电路的设计提供指导。基于对二端类晶闸管器件导通机理、结构设计、触发电路设计的研究，研制的二端类晶闸管器件实现了18 kA/μs的高di/dt输出能力，并实现了对爆炸箔芯片的气化，推进了器件的应用。