碳化硅MOSFET较差的短路耐受能力是制约其进一步应用的关键问题之一。为评估器件的短路能力，一般是通过脉宽递增实验来判断器件的短路失效模式，进而得到短路耐受时间和临界短路能量。本文搭建了碳化硅MOSFET短路失效实验平台，在不同母线电压下进行了改变脉宽递增梯度的实验。结果表明，中低压（400 V、600 V）时，一般性的短路能力测试可将脉宽递增梯度定为0.5 µs，在对器件栅极电介质绝缘性能要求较高的场合，建议进一步减小递增梯度。高压（800 V）条件时，0.1 µs有利于获得更精确的短路能力信息。