碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET，silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor）因具有高压、高频、低导通损耗等优异特性而获得产业界广泛关注，但相比于硅基IGBT，SiC/SiO₂栅氧界面高缺陷密度引起的栅氧可靠性问题成为制约SiC MOSFET器件规模化应用的关键瓶颈。通过对近年来国内外SiC MOSFET栅氧可靠性研究成果的梳理和分析，阐述了当前栅氧可靠性问题的形成原因，归纳总结了各类常用的栅氧可靠性评估方法，并进行了比较分析，最后重点探讨了极端工况下SiC MOSFET栅氧可靠性及其提升技术的发展现状。