共源极电感由于同时存在于功率MOSFET的功率回路和门极驱动回路上，所以会影响器件的开关特性及开关损耗。共源极电感的影响将随着器件开关速度和开关频率的提高而显得更为严重。SiC基MOSFET因其相对于硅器件的材料优势可以实现更加快速的开关过程，所以共源极电感的影响更加需要考虑。本文首先分析了现有功率开关损耗测量方法的优劣，然后选用一种通过测量结温升和热阻的方法来测量SiC基MOSFET的开关损耗。最后搭建了一个输出功率1kW，输出电压800V的全碳化硅Boost电路进行了验证和分析。