结温直接影响SiC MOSFET模块的可靠性和稳定性，因此对SiC MOSFET结温提取技术进行研究非常重要。然而现有温敏电参数结温提取方法中，使用的温敏电参数存在随模块封装老化而变化的现象。为了解决这一问题，本文提出了引入寿命参数对温敏电参数法提取结温进行改进，缩小温敏电参数法在模块寿命中后期提取结温的误差。由于饱和压降VDS、结温、电流和寿命参数呈现复杂的非线性关系，因此本文使用PSO-ELM算法建立了引入寿命参数的SiC MOSFET模块结温预测模型，该预测网络预测结温准确度为99.6%。同时，对比未引入寿命参数的预测方法和引入寿命参数的PSO-ELM算法，结果表明，在SiC MOSFET模块寿命中后期，引入寿命参数的PSO-ELM结温预测算法能够有效校正现有温敏电参数法预测结温出现误差越来越大的问题。研究方法适用于单个模块的各种运行场景，实现在模块的整个生命周期中，都能够准确预测SiC MOSFET模块结温。