基于含 p-GaN帽层的 Si基 GaN材料，实现了增强型 GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的 开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压 GaN器件、DCFL结构反相器和 17级环形振荡器。高压 GaN功率电子 器件阈值电压 VTH达到 1.2 V，击穿电压 VBD达到 700 V，输出电流 ID达到 8 A，导通电阻 RON为 300 mΩ。基于 E/D集成技术的 DCFL结构反相器低噪声和高噪声容限分别为 0.63 V和 0.95 V；所研制 17级环形振荡器在输 入 6 V条件下振荡频率 345 MHz，级延时为 85 ps。