基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料，实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2 V，击穿电压VBD达到700 V，输出电流ID达到8 A，导通电阻RON为300 mΩ。基于E/D集成技术的DCFL结构反相器低噪声和高噪声容限分别为0.63 V和0.95 V；所研制17级环形振荡器在输入6 V条件下振荡频率345 MHz，级延时为85 ps。