摘要：本文主要研究SiC MOSFET失效过程中显著参量的偏移情况，老化过程中各物理场参数耦合关系对器件可靠性研究有着至关重要的作用。为此，搭建了能够提取健康状态参量的多物理场功率循环实验平台。从失效机理出发，研究了各参量间偏移失效特性。结果表明，器件失效主要是键合线老化脱落和焊料层老化开裂造成的，栅极阈值电压VGS(th)、漏极电流ID、饱和压降VDS(sat)、结温Tj、热阻Rth等参量随器件老化存在明显失效偏移。此外，本文给出了各参量多维度表征系数，以及失效偏移标准。该研究结果为深入理解SiC MOSFET失效机理、表征器件健康状态、确保设备安全运行提供了理论指导。