与传统硅Si（silicon）功率器件相比，第3代宽禁带功率半导体器件，如碳化硅SiC（silicon carbide）和氮化镓GaN（gallium nitride）功率器件，由于具有高功率密度、耐高温和抗辐照等特点，得到了越来越广泛的应用。分析了基于SiC和GaN的2种1 kV输入、32 V/3 kW输出的LLC谐振变换器，通过仿真和实验探究了变压器匝间电容对谐振电流的影响；并采取分离谐振腔、改变变压器绕组结构的方法，减小谐振电流的畸变，保证了开关管ZVS的实现。由于大匝比变压器难以平面化，2种变换器均采用原边串联、副边并联的矩阵变压器，实现自动均压、均流，降低电压和电流应力，提高功率密度和热稳定性。为了进一步提高效率，GaN LLC变换器副边采用同步整流。最后，本文从拓扑、损耗、整机尺寸、可靠性以及功率密度等方面对比分析了这2种变换器的优缺点，为器件的选择提供了参考依据。