针对当前重复经颅磁刺激（rTMS）设备的频率、场强难以匹配SPIO纳米颗粒进行生物实验或临床研究的问题，本文提出一种频率-场强可宽泛调节的弱磁场rTMS脉冲发生电路（WALI-rTMS）。在传统rTMS放电电路基础上，本文提出一种电感连接型放电电路，解决直流电源与充电电容之间晶闸管电压应力过高的问题；同时，本文将rTMS设备的放电频率、放电电压、脉冲脉宽等关键指标的乘积与输入电压的比值定义为需求增益，并推导出其与开关频率的线性关系，直观地证明了通过合理选择开关频率的范围即可实现rTMS脉冲发生电路频率-场强的宽范围调节。另外，本文综合考虑控制芯片的分频性能、储能电容充电快速性、需求增益取值范围、开关管软开关运行等因素，给出了所述脉冲发生电路的参数设计方法，并以放电电压为控制对象对WALI-rTMS电路实现恒压闭环变频控制，保证输出脉冲的刺激强度。最后，文中搭建一台脉宽200μs，频率在5~100Hz可调，输出场强为5~100mT的实验样机进行理论验证。